影驰:DDR5 内存进入工程样品试产阶段,近期露面

影驰:DDR5 内存进入工程样品试产阶段,近期露面

IT之家 4 月 15 日消息,目前影驰的 DDR5 内存已经进入了工程样品试产阶段,并将于近期露面。

IT之家了解到,近日,影驰 DDR5 内存就传来了消息:DDR5 DRAM 内存颗粒已经到厂,开始进入工程样品试产阶段。如上图所示,DDR5 内存颗粒的外观与 DDR4 没有明显差异,大小一致,只是编码方式不同,另外芯片针脚设计不同,彼此互不兼容。针脚的差异意味着 DDR5 和 DDR4 在功耗、容量、频率和 ECC 等方面有所不同。DDR5 支持 6400Mbps 的传输速率,比 DDR4 快 了 1 倍,且支持 ECC 纠错,可以自行更正 1 bit 级错误,运行电压为 1.1V,相比 DDR4 的 1.2V 更节能。相比 DDR4,DDR5 有着更快的速度、更大的容量、更高的稳定性以及更低的能耗,可打造单条容量 512GB、频率 8400MHz 的超高规格。

影驰官方介绍:

更快的速度

内存带宽的提升是 DDR5 之于 DDR4 最直接的改变之一。DDR5 内存的引脚带宽(频率)是 DDR4 的两倍,首发将以 4800MHz 起跳,比 DDR4 的标准频率 3200MHz 提高了 50% 之多,未来最高甚至可以达到 8400MHz。

更大的容量

容量的大幅提升是 DDR5 内存最显著的特征。单颗 DDR5 允许单个存储芯片达到 64Gbit 的密度,这比 DDR4 的最大 16Gbit 密度提高了 4 倍,有助于提高单颗闪存的容量,进而提升内存的容量。可以预见的是,在 DDR5 时代,16GB 将会成为单条内存的普遍起步容量。

更高的稳定性

相比上一代标准,由于引入了多种 RAS,DDR5 在稳定性方面也会有更佳的表现。其中,曾经只有在服务器市场才有的检验与纠正技术 ——ECC,将会成为 DDR5 内存的标配。

更低的能耗

能耗方面,DDR5 的电压可低至 1.1V,相比 DDR4 的 1.2V 降低了 0.1V,可为玩家提供更多的调整空间以便充分压榨内存的性能。考虑到 DDR4 的实际电压多为 1.35V,甚至一些超频版本的内存电压为 1.5V,DDR5 在降低能耗方面着实有着不小的进步。

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